Semiconductor de brecha estrecha
materiales semiconductores cuyo intervalo de banda es comparativamente pequeño en comparación con el del silicio
Los semiconductores de brecha estrecha son materiales semiconductores con una banda prohibida inferior a 0,5 eV, lo que corresponde a una longitud de onda de corte de absorción infrarroja superior a 2,5 micras. Una definición más amplia incluye todos los semiconductores con bandas prohibidas inferiores al silicio (1,1 eV).[1][2] Las tecnologías modernas de terahercios,[3] infrarrojos[4]y termografía[5]se basan en esta clase de semiconductores.
Los materiales de brecha estrecha han hecho posible la teledetección por satélite,[6]los circuitos integrados fotónicos para telecomunicaciones,[7][8][9] y los sistemas Li-Fi para vehículos no tripulados,[10]en el régimen de detector infrarrojo y visión infrarroja.[11][12] También son la base material de la tecnología de terahercios, incluida la vigilancia de seguridad para descubrir armas ocultas,[13][14][15] la obtención segura de imágenes médicas e industriales con tomografía de terahercios,[16][17][18] así como los aceleradores dieléctricos de campo de estela. [19][20][21]Además, la termofotovoltaica integrada con semiconductores de brecha estrecha puede utilizar la parte tradicionalmente desperdiciada de la energía solar, que ocupa ~49% del espectro de la luz solar.[22][23]Las naves espaciales, los instrumentos de las profundidades oceánicas y las instalaciones de física del vacío utilizan semiconductores de brecha estrecha para lograr la refrigeración criogénica.[24][25]
Lista de semiconductores de brecha estrecha
editarNombre Fórmula química Grupos Banda prohibida (300 K) Telururo de mercurio y cadmio Hg1−xCdxTe II-VI 0 a 1,5 eV Telururo de mercurio y zinc Hg1−xZnxTe II-VI 0,15 a 2,25 eV Seleniuro de plomo PbSe IV-VI 0,27 eV Sulfuro de plomo (II) PbS IV-VI 0,37 eV Telururo de plomo PbTe IV-VI 0,32 eV Arseniuro de indio En Como III-V 0,354 eV Antimoniuro de indio InSb III-V 0,17 eV Antimoniuro de galio Gasb III-V 0,67 eV Arseniuro de cadmio Cd3Como2 II-V 0,5 a 0,6 eV Telururo de bismuto Bi2Te3 0,21 eV Telururo de estaño Snte IV-VI 0,18 eV Seleniuro de estaño SnSe IV-VI 0,9 eV Seleniuro de plata (I) Ag2Se 0,07 eV Siliciuro de magnesio Mg2Si II-IV 0,79 eV[26]
Véase también
editarReferencias
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Enlaces externos
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